SK海力士开发出238层NAND闪存芯片

全球第二大存储芯片制造商韩国SK海力士集团周三表示，已开发出其最先进的NAND闪存芯片，该芯片由238层存储单元组成，将用于个人电脑存储设备，以及智能手机和服务器。

此前美国竞争对手美光科技在上周宣布，已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。

SK海力士表示，这款238层的新芯片是NAND闪存芯片中尺寸最小的，数据传输速度比上一代芯片提高了50%，读取数据时消耗的能量减少了21%。

该公司表示，计划在2023年上半年开始批量生产这种芯片。

责任编辑：于健 SF069